英特尔用Optane存储器与三星在内存行业一争高下

  “我们知道,竞争对手基于 128 层 NAND 闪存的固态驱动器 (SSD) 的产量不是很高。但英特尔的产量很高,不用担心明年的大规模生产,”英特尔高级副总裁兼非挥发性内存解决方案集团总经理Rob Crooke在位于荣谷的JW东大蒙广场酒店举行的活动上表示。

  英特尔在韩国举办了“2019年内存与存储日”,三星电子和SK Hynix是内存半导体市场的两大巨头,首次有众多总部主要高管出席。在发布会上,该公司展示了其内存半导体战略,并表现出对内存芯片市场的坚定信心,并列举了韩国竞争对手的产量问题。

  英特尔宣布,它不仅将发布面向内存市场的第二代 Optane 数据中心持久内存 (DCPM),还将发布全球首款配备 144 层四级单元 (QLC) NAND 闪存的数据中心 SSD,这更集成了三星电子和SK Hynix的128层NAND产品,明年。这是其战略的一部分,以满足数据中心和计算机用户的需求,这些数据中心和计算机用户需要先进技术,这些先进技术可以堆叠比广泛使用的三级单元 (TLC) NAND 闪存更多的单元。

  在这方面,市场专家表示,英特尔似乎想在三星电子和SK Hynix等优势领域展示其在内存领域的高技术水平。

  Crooke别表示,他对其144层四级电池(QLC)NAND闪存产品充满信心,该产品将成为攻击SK Hynix和三星电子的武器,并强调该公司将与韩国展开激烈竞争。企业在SSD市场明年。他说,英特尔在数据中心固态产品市场一直保持第一或第二的位置,我们将继续维护它。

  Crooke暗示了开发“封装内技术”的可能性,该技术结合了中央处理器 (CPU) 和 Optane存储器。业界认为,如果英特尔在服务器处理器市场占据90%以上的份额,三星电子和SK Hynix将遭受重创。克鲁克说,在内存和系统内存芯片方面均具有优势的英特尔将采用基于平台的策略,通过内存芯片最大限度地发挥系统的潜力。

  英特尔于 2017 年与美光联合开发了 Optane 持久存储器。新技术具有DRAM和NAND闪存芯片的优点,因此即使在电源中断时也能保持数据安全,并且具有更高的处理速度。

  英特尔宣布,它已经同意向微软、戴尔、甲骨文和百度等全球领先公司提供Optane DCPM,以及韩国的主要公司,包括现代汽车、Naver和Netmarble。现代汽车计划在研发(R&D)领域使用Optane内存技术,以应对自动驾驶和互联汽车市场,而Naver将通过引入英特尔第二代,增强其在云领域的竞争力。同时生成至上处理器和 Optane DCPM。

  英特尔还首次推出了位于新墨西哥州的Rio Rancho工厂的内存生产线。到目前为止,该公司一直在美光的工厂生产Optane存储器。但是,它现在将自行在新生产线上生产内存。

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  3是基于微控制器系统的完整存储器和监控解决方案。 EEPROM串行2-Kb CPU监控器和具有欠压保护的系统电源监控器以低功耗CMOS技术集成在一起。存储器接口通过400kHzI²C总线提供精确的V CC 检测电路和两个开漏输出:一个(RESET)驱动为高电平,另一个( RESET )驱动为低电平。如果WP连接到逻辑高电平,则禁止写操作。监控器具有1.6秒的看门狗定时器电路,如果软件或硬件故障停止或“挂起”系统,则会将系统重置为已知状态。 CAT1023具有独立的看门狗定时器中断输入引脚WDI​​。电源监控和复位电路在上电/断电和欠压条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果电源电压超出容差,复位信号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在电源电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外, RESET 引脚或单独的输入 MR 可用作按钮手动复位功能的输入。片上,2k位EEPROM存储器具有16字节页面。此外,硬件数据保护由V CC 检测电路提供,当V C...

  4是一款完整的存储器和监控解决方案,适用于基于微控制器的系统。 EEPROM串行2-Kb CPU监控器和具有欠压保护的系统电源监控器以低功耗CMOS技术集成在一起。存储器接口通过400kHzI²C总线提供精确的V CC 检测电路,但只有 RESET 输出,没有写保护输入。电源监控和复位电路在上电/断电和欠压条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果电源电压超出容差,复位信号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在电源电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外, RESET 引脚或单独的输入 MR 可用作按钮手动复位功能的输入。 CAT1024存储器具有16字节页面。此外,硬件数据保护由V CC 检测电路提供,当V CC 低于复位阈值或直到V CC时,该电路可防止写入存储器在上电期间达到复位阈值。可用封装包括8引脚DIP,8引脚SOIC,8引脚TSSOP,8引脚TDFN和8引脚MSOP。 TDFN封装厚度最大为0.8 mm。 TDFN足迹为3 x 3 mm。 特性 ...

  �一个EEPROM串行2-Mb SPI低功耗器件,内部组织为256Kx8位。它具有256字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选(CS)输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD输入可用于暂停与EA2M设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 OnChip ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 EA2M设备专为超低功耗而设计,适用于实时数据记录应用,助听器和其他医疗设备以及电池供电的应用。 特性 5 MHz SPI兼容 电源电压范围:1.6 V至3.6 V SPI模式(0.0)& (1.1) 256字节页面写入缓冲区 具有永久写保护的附加标识页 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000程序/擦除周期 100年数据保留 WLCSP 8球封装和模具销售 这些设备是无铅,卤素Free / BFR Free且符合RoHS标准 应用 终端产品 医疗 助听器 电路图、引脚图...

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  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个64 k串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为8 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N64S818HA器件包含一个HOLD引脚,允许暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 1.7至1.95 V电源范围 待机电流极低 - 低至200 nA 极低的工作电流 - 低至3 mA 简单的内存控制:单片机选择(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO) 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 8 K x 8位组织 自定时写周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通讯的HOLD引脚 高可靠性 - 无限制写周期 符合RoHS标准的封装 - 绿色SOIC和TSSOP 电路图、引脚图和封装图...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个256 kb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为32 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N25S830HA器件包含一个HOLD引脚,可以暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 2.7至3.6 V电源范围 待机电流非常低 - 典型Isb低至1 uA 极低的工作电流 - 低至3 mA 简单的内存控制:单片机选择(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO) 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 32 K x 8位组织 自定时写周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通讯的HOLD引脚 电路图、引脚图和封装图...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个256 kb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为32 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N25S818HA器件包含一个HOLD引脚,可以暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 1.7至1.95 V电源范围 待机电流非常低 - 典型的Isb低至200 nA 极低的工作电流 - 低至3 mA 简单的内存控制:单片机选择(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO) 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 32 K x 8位组织 自定时写入周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通信的HOLD引脚 电路图、引脚图和封装图...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个1Mb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为128 K字节8位。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式下,单个数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起用于访问器件内的数据。在DUAL模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线,在QUAD模式下,四个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线与时钟一起使用以访问存储器。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,采用8引脚TSSOP封装。 N01S830xA设备有两种不同的变体,一种是允许与设备暂停通信的HOLD版本,另一种是与电池一起使用的备用电池(BBU)版本,用于在电源丢失时保留数据。 特性 电源范围: 2.5至5.5 V 极低的典型待机电流:...

  美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括1Mb串行访问的StaticRandom存储器,内部组织为128 K字乘以8 bi t s。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式下,单个数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起用于访问器件内的数据。在DUAL模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线,在QUAD模式下,四个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线与时钟一起使用以访问存储器。器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,采用8引脚TSSOP封装。 特性 电源范围: 1.7至2.2 V 极低的典型待机电流:...

  RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用程序。 特性 优势 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 低功耗 擦除/写入周期:10 5 周期(页面写入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40至+ 85°C 接口:双线 C总线kHz 低功耗:待机: 2μA( max)有效(读取):0.5mA(最大值) 自动页面写入模式:16字节 阅读模式:顺序阅读和随机阅读 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封装图...

  信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

  信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

  信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...

  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

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